华岭股份北交所过会：专注集成电路测试领域 去年利润9012万元

华岭股份北交所过会：专注集成电路测试领域 去年利润9012万元

与复旦微电（.SH）、晶晨股份（.SH）等众多行业内知名的集成电路企业建立了长期的合作关系。公司IPO募集资金用于临港集成电路测试产业化项目、研发中心建设项目。专注集成电路测试领域 去年利润9012万...

新三板挂牌“十大坑”，所有冲北交所的中小企业注意啦（上）

1、新三板摘牌就是后悔药么，挂牌的目的就是获得资本市场的认可。2、规范成本能不能省掉，这里不乏有为了强行搭车的小微企业，规范成本费用不能少。这个规范成本完完全全可以在资本市场成N倍回报赚回来。为新三板...

新三板挂牌“十大坑”，所有冲北交所的中小企业注意啦（上）

1、新三板摘牌就是后悔药么，挂牌的目的就是获得资本市场的认可。2、规范成本能不能省掉，这里不乏有为了强行搭车的小微企业，规范成本费用不能少。这个规范成本完完全全可以在资本市场成N倍回报赚回来。为新三板...

常用集成电路资料(引脚功能

常用集成电路资料(引脚功能—应用电路)：远程附件下载(本帖附件已由系统转存到远程服务器)常用集成电路引脚功能参数资料(第一部分)AN5521-01.pdfla1135.pdfLA41XX.pdfLA4...

浅谈现代集成电路28nm芯片制造工艺B(后端BEOL)

（防止硼磷硅玻璃中B/P析出影响衬底器件），淀积界面氧化层（IL）和高K介质HfO29.1.6淀积覆盖层TiN/TaN氮化钛/氮化钽.见图159.1.7淀积p型功函数氮化钽层约40Å。见图169.1....

现代集成电路芯片制造工艺流程

晶圆材料-隔离—淀积多晶硅—芯轴—鳍硬掩膜（”

浅谈现代集成电路28nm芯片制造工艺A(前端FEOL)

衬底的电子以量子形式穿过栅介质进入栅极，（量子隧穿）栅极漏电导致功耗增加，单纯缩小厚度不能满足器件性能的要求了，于是采用提高氮氧化硅含氮量以增加介电常数k，开始使用高k介质HfO2代替SiON来改善栅...

2021 中国集成电路产业发展概述

——以下内容摘自《2021中国集成电路行业投资市场研究报告》，已上传【半导体产业研究】知识星球，成员可登录星球搜索关键词下载（文末查看如何成为星球成员）。Chapter 1中国集成电路产业发展概述Ch...

【图解季报】财通集成电路产业股票C基金2022年三季报点评

财通集成电路产业股票C基金的总资产为1.17亿元，基金历史资产份额变化。财通集成电路产业股票C基金的持有人数为8355人，基金投资者结构变化。指可投资于证券投资基金的自然人中持有该基金份额的人员。基金...

中芯国际集成电路制造有限公司

是中国内地规模大、技术先进的集成电路晶圆代工企业。中芯国际向全球客户提供0.35微米到40纳米晶圆代工与技术服务。在深圳有一座200mm晶圆厂在兴建中。中芯国际还在美国、欧洲、日本和台湾地区提供客户服...

政策与资金齐推 集成电路股或“起飞”

宣布定增募800亿元投资集成电路业务的同方国芯，资金热炒的更深层次原因或源于集成电路诱人的产业前景”工信部正式公布《国家集成电路产业发展推进纲要》（以下简称《纲要》），对集成电路产业链各个环节给出了明...

中芯国际集成电路制造(武汉)有限公司

是*的集成电路芯片代工企业之一，也是中国内地规模*大、技术*先进的集成电路芯片代工企业。中芯国际向全球客户提供0.35微米到45纳米芯片代工与技术服务。在深圳有一座200mm芯片厂在兴建中集成电路股票...

从业人员超60万，中国集成电路还是很缺人

全球领先的半导体产业智库芯谋研究与安谋科技（ Arm China） 联合调研并撰写报告《2022年中国大陆集成电路设计》，旨在为产业提供集成电路设计领域关于人才问题的多角度参考，2021年我国集成电路...

集成电路是谁发明的？

在美国密苏里州杰斐逊城的一个普通家庭里，诞生了一个男婴。男婴的父亲名叫赫伯特·基尔比（Hubert Kilby），是一个电气工程师，毕业于伊利诺伊大学香槟分校。男婴的母亲薇娜·基尔比（Vina Kil...

集成电路，到底是谁发明的？

将来会成为一个伟大的工程师、发明家，是堪萨斯电力公司（Kansas Power Company）的经理，基尔比为了实现自己的工程师梦想，他是陆军通信兵团（U.S.Army Signal Corps）的...

【物理科普】集成电路，到底是谁发明的？

将来会成为一个伟大的工程师、发明家，基尔比为了实现自己的工程师梦想，他是陆军通信兵团（U.S.Army Signal Corps）的一名无线电通讯设备维修员，基尔比回到伊利诺伊大学，基尔比顺利获得了电...

常用集成电路资料(引脚功能

常用集成电路资料(引脚功能—应用电路)：远程附件下载(本帖附件已由系统转存到远程服务器)常用集成电路引脚功能参数资料(第一部分)AN5521-01.pdfla1135.pdfLA41XX.pdfLA4...

浅谈现代集成电路28nm芯片制造工艺B(后端BEOL)

（防止硼磷硅玻璃中B/P析出影响衬底器件），淀积界面氧化层（IL）和高K介质HfO29.1.6淀积覆盖层TiN/TaN氮化钛/氮化钽.见图159.1.7淀积p型功函数氮化钽层约40Å。见图169.1....

现代集成电路芯片制造工艺流程

晶圆材料-隔离—淀积多晶硅—芯轴—鳍硬掩膜（”

浅谈现代集成电路28nm芯片制造工艺A(前端FEOL)

衬底的电子以量子形式穿过栅介质进入栅极，（量子隧穿）栅极漏电导致功耗增加，单纯缩小厚度不能满足器件性能的要求了，于是采用提高氮氧化硅含氮量以增加介电常数k，开始使用高k介质HfO2代替SiON来改善栅...